硅晶片检测

　　哪里可以检测硅晶片?中析研究所检测中心提供硅晶片检测服务，出具的硅晶片检测报告支持扫码查询真伪。服务项目：表面平整度、接触角、厚度、晶体结构、电性能、光学性能、热性能、化学成分、绝缘性能和表面粗糙度等。实验室工程师严格按照相关标准进行实验，并且提供非标实验定制服务。

　　检测周期:7-15个工作日，参考周期

　　检测范围

　　单晶硅片、多晶硅片、氧化硅片、硅氮化硅片、硅碳化硅片、磷化硅片、硅基太阳能电池片。

　　检测项目

　　表面平整度、接触角、厚度、晶体结构、电性能、光学性能、热性能、化学成分、绝缘性能和表面粗糙度。

　　检测方法

　　表面形貌观测：扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)

　　晶体结构分析：X射线衍射(XRD)

　　厚度测量：椭偏仪、白光干涉仪

　　电性能测试：电阻率测试、霍尔效应测试

　　光学性能测试：反射率测试、透过率测试

　　热性能测试：热导率测试、热膨胀系数测试

　　化学成分分析：X射线荧光光谱仪(XRF)、质谱仪

　　绝缘性能检测：介电常数测试、击穿强度测试

　　表面粗糙度测量：表面粗糙度仪、原子力显微镜(AFM)等。

　　检测仪器

　　SEM、AFM、XRD、椭偏仪、白光干涉仪、电阻率测试仪、霍尔效应测试仪、反射率测试仪、透过率测试仪、热导率测试仪、介电常数测试仪、表面粗糙度仪、XRF和质谱仪等。

　　检测标准

　　CEI EN 50513-2010 太阳能晶片。太阳能电池制造用晶体硅晶片的数据表和产品信息

　　GB/T 25188-2010 硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的测量 X射线光电子能谱法

　　GB/T 26066-2010 硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法

　　JIS H0611-1994 硅晶片厚度、厚度不均匀度及其翘曲度的测定方法

　　JIS K0148-2005 表面化学分析.用总反射X-射线荧光(TXRF)测定法测定硅晶片的表面主要污染物

　　SEMI PV25-1011-2011 测量氧，碳，试验方法在太阳能硅晶片和二次离子质谱法原料硼和磷

　　T/CASAS 013-2021 碳化硅晶片位错密度检测方法 KOH腐蚀结合图像识别法

　　T/CASAS 032-2023 碳化硅晶片表面金属元素含量的测定电感耦合等离子体质谱法